| 6寸高溫探針臺T-150H |
| 用于1~6寸晶圓，批次小器件，單個芯片或MEMS等器件電學性能測試。 |
| 應用場景：I/V曲線測試，C/V測試，射頻S參數(shù)測試等； |
| 儀器搭配：數(shù)字源表、半導體參數(shù)分析儀、LCR數(shù)字電橋、網(wǎng)絡分析儀等。 |
| 特點優(yōu)勢：高溫驗證，溫度從常溫~200℃/300℃/400℃/500℃。 |
| 高清解析，微觀放大倍率20X~50X/100X/200X/500X/1000X可選 |
| 用于實驗室芯片驗證，失效分析，產(chǎn)線射頻芯片S參數(shù)測試等。 |
